磷化铟镓

2018-02-28 13:48:06

磷化铟镓(Indium gallium phosphide,简称InGaP)也被称为磷化镓铟(GaInP),是由磷、铟和镓组成的半导体。因为其电子速率比常见的硅及砷化镓要快,常用于高速或是高功率的电子元件中。

磷化铟镓常用在高电子移动率晶体管(HEMT)及异质结双极性晶体管(HBT)结构中,但也用在太空应用的高速率太阳能电池,若加入铝(AlGaInP英语Aluminium gallium indium phosphide合金)可以制作高亮度的橘红色、橘色、黄色及绿色发光二极管。

磷化铟镓是磷化铟及磷化镓的合金。

Ga0.5In0.5P是一种有特别重要性的合金,其晶格几乎和砷化镓相同,因此配合(AlxGa1-x)0.5In0.5,可以产生晶格对应的量子阱,可以作为红色的激光二极管,例如红色光,波长650nm的共振腔发光二极管,或是配合聚甲基丙烯酸甲酯塑胶光纤的垂直腔面发射激光器。

Ga0.5In0.5P其能量接面是太阳能电池中砷化镓接面的二倍到三倍。近年发现磷化铟镓及砷化镓叠层的太阳能电池在AM0条件(太阳光在大气层外的平均照度,=1.35 kW/m2) 下,效率可以提升25%1

另一个磷化铟镓的合金,其晶格匹配底层的砷化铟镓英语Indium gallium arsenide,用来制作高能量效率的磷化铟镓/砷化铟镓/锗三接面太阳电池。

磷化铟镓的磊晶生长可以依磷化铟镓的趋势成长,生成一般的材料,而不是任意分布的合金。这会改变该材料的带隙和其电子和光学性质。

相关条目

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  • 氮化铟镓英语Indium gallium nitride
  • 砷化铟镓英语Indium gallium arsenide

参考资料

  1. ^ 存档副本. 2008-11-14. (原始内容存档于2009-05-10). 
  • E.F. Schubert "Light emitting diodes", ISBN 0-521-53351-1

外部链接

  • EMCORE Solar Cells
  • Spectrolab Solar Cells
  • NSM Archive


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